Cypress Semiconductor Corp CY14U256LA-BA35XI
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CY14U256LA-BA35XI
603-CY14U256LA-BA35XI
存储器
48-TFBGA
大陆
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IC NVSRAM 256K PARALLEL 48FBGA
--最小包装量--
CY14U256LA-BA35XI详情
Cypress Semiconductor Corp CY14U256LA-BA35XI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
256Kb 32K x 8
电源电流
60mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
35ns
密度
256 kb
访问时间(最大)
35 ns
字长
8b
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY14U256LA-BA35XI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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