Cypress Semiconductor Corp CY15B104Q-LHXI

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tube

系列

F-RAM™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.71

电压 - 供电

2V~3.6V

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

1.27mm

JESD-30代码

R-PDSO-N8

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2V

界面

SPI, Serial

内存大小

4Mb 512K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

40MHz

内存格式

FRAM

内存接口

SPI

组织结构

512KX8

内存宽度

8

记忆密度

4194304 bit

长度

6mm

座位高度(最大)

0.8mm

宽度

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅