Cypress Semiconductor Corp CY62128DV30LL-55SXI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)

表面安装

YES

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tube

系列

MoBL®

已出版

2006

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

32

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.2V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

1.27mm

Reach合规守则

unknown

频率

55GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

基本部件号

CY62128

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

2.5/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.2V

内存大小

1Mb 128K x 8

电源电流-最大值

0.01mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.000003A

记忆密度

1048576 bit

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.5V

长度

20.4465mm

座位高度(最大)

2.997mm

宽度

11.303mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅