Cypress Semiconductor Corp CY62162G30-45BGXI
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CY62162G30-45BGXI
603-CY62162G30-45BGXI
存储器
119-BGA
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IC SRAM 16M PARALLEL 119PBGA
--最小包装量--
CY62162G30-45BGXI详情
Cypress Semiconductor Corp CY62162G30-45BGXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
MoBL®
已出版
2001
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
ECCN 代码
3A991.B.2.B
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
1.65V~2.2V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B119
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.2V
内存大小
16Mb 512K x 32
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
记忆密度
16777216 bit
访问时间(最大)
45 ns
长度
22mm
座位高度(最大)
2.4mm
宽度
14mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY62162G30-45BGXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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