Cypress Semiconductor Corp CY6264-55SNXI

包装/外壳

28-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

28

质量

2.214806g

Current - Supply (Nom)

260mA

Memory Types

Volatile

已出版

1996

系列

MoBL®

包装

Tube

操作温度

-40°C~85°C TA

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

28

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 供电

4.5V~5.5V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

基本部件号

CY6264

最大电流源

200mA

电源

5V

内存大小

64Kb 8K x 8

端口的数量

1

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

13b

密度

64 kb

待机电流-最大值

0.03A

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

座位高度(最大)

2.794mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅