Cypress Semiconductor Corp CY7C10212CV33-12BAXE
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CY7C10212CV33-12BAXE
603-CY7C10212CV33-12BAXE
存储器
48-TFBGA
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SRAM 1Mb, 3.3V, 12ns 64K x 16 Async SRAM
--最小包装量--
CY7C10212CV33-12BAXE详情
Cypress Semiconductor Corp CY7C10212CV33-12BAXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tray
已出版
2016
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
CY7C10212
电源电压-最大值(Vsup)
3.63V
电源电压-最小值(Vsup)
2.97V
内存大小
1Mb 64K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
访问时间(最大)
12 ns
长度
8.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CY7C10212CV33-12BAXE拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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