CY7C1069DV33-10BVXI
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Cypress Semiconductor Corp CY7C1069DV33-10BVXI

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型号

CY7C1069DV33-10BVXI

utmel 编号

603-CY7C1069DV33-10BVXI

商品类别

存储器

封装

48-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

起订量

--最小包装量--

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CY7C1069DV33-10BVXI
CY7C1069DV33-10BVXI Cypress Semiconductor Corp IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

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CY7C1069DV33-10BVXI详情

Cypress Semiconductor Corp CY7C1069DV33-10BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-VFBGA

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    1996

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    48

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 电压 - 供电

    3V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    20

  • 基本部件号

    CY7C1069

  • 引脚数量

    48

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    16Mb 2M x 8

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    175mA

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    2MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • 地址总线宽度

    21b

  • 密度

    16 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.025A

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8b

  • 待机电压-最小值

    2V

  • 长度

    9.5mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Cypress Semiconductor Corp & CY7C1069DV33-10BVXI相似的参数规格。

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CY7C1069DV33-10BVXI拓展信息

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FM24W256-GTR
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FM25L16B-GTR

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S29AL016J70TFI020

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FM25W256-GTR
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FM25V02A-GTR
FM25V02A-GTR

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FM24CL04B-GTR
FM24CL04B-GTR

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