Cypress Semiconductor Corp CY7C1663KV18-550BZXC
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CY7C1663KV18-550BZXC
603-CY7C1663KV18-550BZXC
存储器
165-LBGA
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SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
--最小包装量--
CY7C1663KV18-550BZXC详情
Cypress Semiconductor Corp CY7C1663KV18-550BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
引脚数
165
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
已出版
2003
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
CY7C1663
引脚数量
165
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
144Mb 8M x 18
端口的数量
2
时钟频率
550MHz
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
地址总线宽度
21b
密度
144 Mb
待机电流-最大值
0.5A
I/O类型
SEPARATE
同步/异步
Synchronous
字长
18b
待机电压-最小值
1.7V
长度
17mm
座位高度(最大)
1.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY7C1663KV18-550BZXC拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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