CY7C1663KV18-550BZXC
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Cypress Semiconductor Corp CY7C1663KV18-550BZXC

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型号

CY7C1663KV18-550BZXC

utmel 编号

603-CY7C1663KV18-550BZXC

商品类别

存储器

封装

165-LBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM

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CY7C1663KV18-550BZXC
CY7C1663KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp SRAM 144Mb 1.8V 550Mhz 8M x 18 QDR II SRAM

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CY7C1663KV18-550BZXC详情

Cypress Semiconductor Corp CY7C1663KV18-550BZXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    165-LBGA

  • 引脚数

    165

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2003

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    165

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    1mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    CY7C1663

  • 引脚数量

    165

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    144Mb 8M x 18

  • 端口的数量

    2

  • 时钟频率

    550MHz

  • 访问时间

    450 ps

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    8MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    18

  • 地址总线宽度

    21b

  • 密度

    144 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.5A

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 同步/异步

    Synchronous

  • 字长

    18b

  • 待机电压-最小值

    1.7V

  • 长度

    17mm

  • 座位高度(最大)

    1.4mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Cypress Semiconductor Corp & CY7C1663KV18-550BZXC相似的参数规格。

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CY7C1663KV18-550BZXC拓展信息

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FM24W256-GTR
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CY62157EV30LL-45ZSXIT
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FM25L16B-GTR
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S29AL016J70TFI020
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CY62256NLL-70PXC
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FM25W256-GTR
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FM25V02A-GTR
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FM24CL04B-GTR
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