Cypress Semiconductor Corp CYDMX064A16-90BVXI
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CYDMX064A16-90BVXI
603-CYDMX064A16-90BVXI
存储器
100-VFBGA
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IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
1最小包装量--
CYDMX064A16-90BVXI详情
Cypress Semiconductor Corp CYDMX064A16-90BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-VFBGA
引脚数
100
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
60mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2011
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CYDMX
资历状况
不合格
内存大小
64Kb 4K x 16
端口的数量
2
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
90ns
地址总线宽度
12b
密度
64 kb
访问时间(最大)
90 ns
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
长度
6mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CYDMX064A16-90BVXI拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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