Cypress Semiconductor Corp FM25V02A-DG

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tube

系列

F-RAM™

已出版

2004

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

HTS代码

8542.32.00.71

电压 - 供电

2V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3.3V

端子间距

0.95mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-N8

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2V

内存大小

256Kb 32K x 8

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

40MHz

访问时间

16 ns

内存格式

FRAM

内存接口

SPI

组织结构

32KX8

内存宽度

8

记忆密度

262144 bit

环境温度范围高

85°C

高度

800μm

长度

4.5mm

宽度

4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant