Cypress Semiconductor Corp S29GL064N11WEI039
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S29GL064N11WEI039
603-S29GL064N11WEI039
存储器
Die
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IC FLASH 64M PARALLEL DIE
--最小包装量--
S29GL064N11WEI039详情
Cypress Semiconductor Corp S29GL064N11WEI039重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
GL-N
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.65V~3.6V
内存大小
64Mb 8M x 8 4M x 16
最大电源电流
30mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
写入周期时间 - 字符、页面
110ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
S29GL064N11WEI039拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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