Cypress Semiconductor Corp S29GL064N90TAI040
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S29GL064N90TAI040
603-S29GL064N90TAI040
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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Flash Memory Nor
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S29GL064N90TAI040详情
Cypress Semiconductor Corp S29GL064N90TAI040重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
GL-N
已出版
2017
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
3V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G48
电源
3/3.3V
内存大小
64Mb 8M x 8 4M x 16
电源电流-最大值
0.05mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
90ns
密度
64 Mb
待机电流-最大值
0.000005A
访问时间(最大)
90 ns
编程电压
3V
备用内存宽度
8
数据轮询
YES
拨动位
YES
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.7V
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
8127
行业规模
8K64K
页面尺寸
8/16words
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
14mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
S29GL064N90TAI040拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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