Cypress Semiconductor Corp S29GL512T10GHI010
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S29GL512T10GHI010
603-S29GL512T10GHI010
存储器
56-VFBGA
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IC FLASH MEM 512MBIT PAGE 56TSOP
--最小包装量--
S29GL512T10GHI010详情
Cypress Semiconductor Corp S29GL512T10GHI010重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
系列
GL-T
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
100ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
32MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
记忆密度
536870912 bit
编程电压
2.7V
备用内存宽度
8
长度
9mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
S29GL512T10GHI010拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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