Cypress Semiconductor Corp S29WS064RABBHW010
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S29WS064RABBHW010
603-S29WS064RABBHW010
存储器
84-VFBGA
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IC FLASH 64M PARALLEL 84FBGA
--最小包装量--
S29WS064RABBHW010详情
Cypress Semiconductor Corp S29WS064RABBHW010重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
84
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-25°C~85°C TA
包装
Tray
系列
WS-R
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
3A991.B.1.A
附加功能
BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
64Mb 4M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
108MHz
电源电流-最大值
0.076mA
访问时间
80ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
待机电流-最大值
0.00007A
记忆密度
67108864 bit
编程电压
1.8V
数据轮询
YES
拨动位
YES
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4127
行业规模
8K32K
准备就绪/忙碌
YES
引导模块
BOTTOM
通用闪存接口
YES
长度
11.6mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
S29WS064RABBHW010拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
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