Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI003
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S34MS01G200BHI003
603-S34MS01G200BHI003
存储器
63-VFBGA
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IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA
--最小包装量--
S34MS01G200BHI003详情
Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
63-VFBGA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Copper, Silver, Tin
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
已出版
2014
系列
MS-2
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
内存大小
1Gb 128M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
地址总线宽度
28b
密度
1 Gb
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
页面尺寸
2kB
座位高度(最大)
1mm
长度
11mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
S34MS01G200BHI003拓展信息
Cypress Semiconductor Corp
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