参数名
参数值
参数名
参数值
工厂交货时间
5 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Maximum Operating Temperature
+ 155 C
Unit Weight
0.014110 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
250
Mounting Styles
PCB 安装
Part # Aliases
4-1879688-4
Manufacturer
TE Connectivity
Brand
TE Connectivity / Holsworthy
Drain Current-Max (ID)
7.5 A
Risk Rank
1.6
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Samacsys Description
Diodes Inc DMT6016LSS-13 N-channel MOSFET Transistor, 11.9 A, 60 V, 8-Pin SO
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
DMT6016LSS-13
Rohs Code
有
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
系列
H4
包装
Bulk
容差
0.1 %
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
温度系数
100 PPM / C
电阻
301 Ohms
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
Resistors
额定功率
500 mW (1/2 W)
技术
Metal Film
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
终端样式
Axial
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
金属膜电阻器
漏极-源极导通最大电阻
0.018 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
11.7 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
-
产品类别
Metal Film Resistors - Through Hole
长度
10 mm
直径
3.7 mm