Diodes BCP5316QTA

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223-3

材料

Aluminum

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

125613

Manufacturer

Brady

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

150 MHz

Brand

Diodes Incorporated

Maximum DC Collector Current

1 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.67

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

Warning Signs

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

Single

功率耗散

2

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

150

频率转换

150MHz

图例

Must be reported immediately to plant supervisory personnel

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

2 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

背景颜色

White

VCEsat-最大值

0.5 V

集电极-基极电容-最大值

25 pF

语言

English

产品类别

Bipolar Transistors - BJT