Diodes Incorporated MMBT5551-7-F

工厂交货时间

13 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

30

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

已出版

2008

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

160V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

频率

300MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBT5551

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

160V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

200mA

宽度

1.4mm

长度

3.05mm

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅