注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
BSS65TA
品牌
Diodes
utmel 编号
671-BSS65TA
商品类别
无类别的
封装
24-VBGA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Bipolar Transistors - BJT
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
BSS65TA详情
技术参数
Diodes BSS65TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
24-FBGA (6x8)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
400 MHz
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
60 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Zetex / Diodes Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ZETEX PLC
Turn-off Time-Max (toff)
90 ns
Risk Rank
7.67
操作温度
-40°C ~ 105°C (TA)
系列
HyperRAM™ KL
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
技术
PSRAM (Pseudo SRAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
内存大小
128Mbit
时钟频率
166 MHz
访问时间
36 ns
内存格式
PSRAM
内存接口
SPI - Octal I/O
晶体管应用
SWITCHING
写入周期时间 - 字符、页面
36ns
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
40
集电极-发射器电压-最大值
12 V
VCEsat-最大值
0.25 V
集电极-基极电容-最大值
6 pF
组织的记忆
16M x 8
BSS65TA拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)