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技术文档
型号
DMJ70H600HCT
品牌
Diodes
utmel 编号
671-DMJ70H600HCT
商品类别
无类别的
封装
TO-220-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO220AB
起订量
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DMJ70H600HCT详情
技术参数
Diodes DMJ70H600HCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
TO-220AB (Type TH)
Package
Tube
Base Product Number
DMJ70
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Diodes Incorporated
Power Dissipation (Max)
2.3W (Ta), 104W (Tc)
Product Status
Obsolete
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
50
Manufacturer
Brand
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
570 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
700 V
Vgs(最大值)
±30V
场效应管特性
-
产品类别
Diodes Inc.
DMJ70H600HCT拓展信息
公司资质
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