Diodes EDI88128LPS35TB

表面安装

NO

终端数量

32

Reverse Stand-off Voltage

15.3 V

RoHS

Non-Compliant

Package Description

0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

DIP32,.4

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

EDI88128LPS35TB

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

White Electronic Designs Corp

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP

Risk Rank

5.65

Usage Level

Military grade

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

元素配置

Single

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

最大反向漏电电流

5 µA

箝位电压

25.2 V

峰值脉冲电流

59.5 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

测试电流

1 mA

座位高度-最大

3.937 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

1048576 bit

筛选水平

MIL-STD-883

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

最小击穿电压

17.1 V

宽度

10.16 mm

长度

40.64 mm

辐射硬化

无