Diodes EDI88128LPS45CB

表面安装

NO

终端数量

32

RoHS

Compliant

Package Description

0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

45 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

EDI88128LPS45CB

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.09

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-CDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.002 A

记忆密度

1048576 bit

筛选水平

MIL-STD-883

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

宽度

10.16 mm