Diodes MB82

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

4

Voltage, Rating

100 V

Package Description

R-XBFM-W4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MB82

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Forward Voltage-Max (VF)

1.1 V

Risk Rank

7.93

容差

1 %

JESD-609代码

e0

温度系数

25 ppm/°C

电阻

2.05 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

桥式整流二极管

额定功率

100 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XBFM-W4

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS

二极管类型

桥式整流二极管

箱体转运

ISOLATED

输出电流-最大值

8 A

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

最大非代表Pk前进电流

125 A

反向电流-最大值

0.000005 µA

击穿电压-最小值

200 V

高度

650 µm