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技术文档
型号
ZTX501
品牌
Diodes
utmel 编号
671-ZTX501
商品类别
无类别的
封装
0805 (2012 Metric)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Bipolar Transistors - BJT
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ZTX501详情
技术参数
Diodes ZTX501重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
0705
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
Base Product Number
M55342
厂商
Vishay Dale 薄膜
Product Status
活跃
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-W3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ZETEX PLC
Risk Rank
5.91
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
Military, MIL-PRF-55342, RM0705
尺寸/尺寸
0.080 L x 0.050 W (2.03mm x 1.27mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e0
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±25ppm/°C
电阻
392 kOhms
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.15W
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-W3
资历状况
不合格
失败率
R (0.01%)
配置
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
35 V
VCEsat-最大值
0.25 V
特征
Military, Non-Inductive
座位高度(最大)
0.033 (0.84mm)
ZTX501拓展信息
公司资质
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