Diodes ZUMT619

包装/外壳

QFN

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Standard Frequency

4.096

Operating Temp Range

-40C to 85C

Operating Supply Voltage (Max)

1.98(V)

Operating Supply Voltage (Min)

1.62(V)

Programmable

无

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

RoHS

Compliant

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Transistor Polarity

NPN

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

SOT323

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

215 MHz

Manufacturer Part Number

ZUMT619

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

1.06

Part Package Code

SC-70

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

CLOCK OSCILLATOR

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

385 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率稳定性

±50(ppm)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

对称性-最大值

55(%)

极性

NPN

配置

SINGLE

负载电容

15(pF)

功率耗散

385 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

转换频率

215 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

1A

集电极-发射器电压-最大值

50 V

达到SVHC

无SVHC