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技术文档
型号
ZXMC3A18DN8TC
品牌
Diodes
utmel 编号
671-ZXMC3A18DN8TC
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
ZXMC3A18DN8TC datasheet pdf and Unclassified product details from Diodes stock available at utmel
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ZXMC3A18DN8TC详情
技术参数
Diodes ZXMC3A18DN8TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
SOT
Drain Current-Max (ID)
5.8 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.6 A
漏极-源极导通最大电阻
0.025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
37 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.1 W
ZXMC3A18DN8TC拓展信息
公司资质
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