Diodes Inc. BC856BQ-7-F

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

Transistor Polarity

PNP

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

310 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

200 MHz

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

Maximum DC Collector Current

100 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

65 V

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

BC856

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

包装

Tape & Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

350 mW

频率

200 MHz

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

300

功率 - 最大

310 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65 V

转换频率

100

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

100

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

达到SVHC

无SVHC