Diodes Inc. DCX55-13

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-89-3

质量

51.993025 mg

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

hFEMin

63

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

DCX55-13

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.75

Part Package Code

SOT-89

包装

Tape & Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

1 W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率

200 MHz

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-F4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

转换频率

200 MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.001 A

最小直流增益（hFE）

63

集电极-发射器电压-最大值

60 V

宽度

2.48 mm

高度

1.5 mm

长度

4.5 mm

辐射硬化

无