Diodes Inc. DDTC114YCAQ-13-F

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

DDTC114YCAQ-13-F

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.64

包装

卷带

系列

DDTC (R1≠R2 SERIES) CA

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7, HIGH RELIABILITY

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

200 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250µA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.07 A

最小直流增益（hFE）

80

电阻基(R1)

10 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

47 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

达到SVHC

compliant