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DDTC114YCAQ-13-F
DDTC114YCAQ-13-F

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Diodes Inc. DDTC114YCAQ-13-F

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型号

DDTC114YCAQ-13-F

品牌

Diodes Inc.

utmel 编号

671-DDTC114YCAQ-13-F

商品类别

无类别的

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

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DDTC114YCAQ-13-F
DDTC114YCAQ-13-F Diodes Inc. Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

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DDTC114YCAQ-13-F详情

技术参数

Diodes Inc. DDTC114YCAQ-13-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    10000

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Brand

    Diodes Incorporated

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100 mA

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Rohs Code

    有

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Manufacturer Part Number

    DDTC114YCAQ-13-F

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    DIODES INC

  • Risk Rank

    5.64

  • 包装

    卷带

  • 系列

    DDTC (R1≠R2 SERIES) CA

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    有

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7, HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    Transistors

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    200 mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    80 @ 5mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 250µA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50 V

  • 频率转换

    250 MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.2 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.07 A

  • 最小直流增益（hFE）

    80

  • 电阻基(R1)

    10 kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47 kOhms

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

DDTC114YCAQ-13-F拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS