Diodes Inc. ZHB6792
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ZHB6792
671-ZHB6792
分立半导体产品
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大陆
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin, SM-8, 8 PIN
1最小包装量--
ZHB6792详情
Diodes Inc. ZHB6792重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
8
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2 W
输出电压
70 V
功率耗散
2 W
输出电流
-1 A
集电极发射器电压(VCEO)
70 V
最大集电极电流
1 A
集电极基极电压(VCBO)
70 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
ZHB6792拓展信息
Diodes Inc.
Diodes Incorporated
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