Diodes Incorporated BCV29TA

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Number of Elements

1

hFEMin

4000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

额定电流

500mA

基本部件号

BCV29

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100μA, 100mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

160V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅