Diodes Incorporated BCW68HTC

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

330mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-800mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

BCW68

引脚数量

3

参考标准

CECC50002-234

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

元素配置

Single

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

800mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

20nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

100MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-800mA

关断时间-最大值（toff)

400ns

接通时间-最大值(ton)

100ns

高度

1.1mm

长度

3mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅