Diodes Incorporated BSP19TA
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BSP19TA
671-BSP19TA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS NPN 350V 0.5A SOT-223
1最小包装量--
BSP19TA详情
Diodes Incorporated BSP19TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
质量
188.014037mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
350V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
电压 - 额定直流
350V
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
额定电流
500mA
基本部件号
BSP19
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
70MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 4mA, 50mA
转换频率
70MHz
最大击穿电压
350V
集电极基极电压(VCBO)
400V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSP19TA拓展信息
Diodes Incorporated
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