Diodes Incorporated BSS84DWQ-13

工厂交货时间

15 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

SOT-363

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSS84DWQ-13

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Risk Rank

5

Drain Current-Max (ID)

0.13 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Brand

Diodes Incorporated

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130mA (Ta)

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

300mW (Ta)

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

-

漏源电压 (Vdss)

50V

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.13 A

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

场效应管特性

Standard

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF

产品类别

MOSFET