Diodes Incorporated BST16TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

质量

51.993025mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-300V

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BST16

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

15MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 5mA, 50mA

转换频率

15MHz

最大击穿电压

300V

集电极基极电压(VCBO)

-350V

发射极基极电压 (VEBO)

-4V

连续集电极电流

-500mA

高度

1.6mm

长度

4.6mm

宽度

2.6mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅