Diodes Incorporated BST51TA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

额定电流

500mA

基本部件号

BST51

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.3V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.3V @ 500μA, 500mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

150V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅