BZT52C8V2S-7-F
BZT52C8V2S-7-F

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Diodes Incorporated BZT52C8V2S-7-F

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型号

BZT52C8V2S-7-F

utmel 编号

671-BZT52C8V2S-7-F

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

SC-76, SOD-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

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BZT52C8V2S-7-F
BZT52C8V2S-7-F Diodes Incorporated DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

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BZT52C8V2S-7-F详情

Diodes Incorporated BZT52C8V2S-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-76, SOD-323

  • 引脚数

    2

  • 质量

    4.904468mg

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -65°C~150°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 容差

    ±6%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 额定功率

    200mW

  • 电压 - 额定直流

    8.2V

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BZT52C8V2

  • 引脚数量

    2

  • 工作电压

    8.2V

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 阻抗

    15Ohm

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    泽纳电极

  • 反向泄漏电流@ Vr

    500nA @ 5V

  • 功率耗散

    200mW

  • 输出电流

    48mA

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900mV @ 10mA

  • 最大反向漏电电流

    500nA

  • 阻抗-最大

    15Ohm

  • 测试电流

    5mA

  • 参考电压

    8.2V

  • 正向电压

    900mV

  • 齐纳电压

    8.2V

  • 最大电压允差

    6.1%

  • 峰值反向电流

    500nA

  • 电压允差

    6%

  • 齐纳电流

    5mA

  • 高度

    1mm

  • 长度

    1.8mm

  • 宽度

    1.4mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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BZT52C8V2S-7-F拓展信息

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