Diodes Incorporated DDTB114EC-7
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DDTB114EC-7
671-DDTB114EC-7
集成电路(IC)
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10KW 10KW
--最小包装量--
DDTB114EC-7详情
Diodes Incorporated DDTB114EC-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
DDTB114EC-7
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Risk Rank
5.51
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
10
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
56
集电极-发射器电压-最大值
40 V
DDTB114EC-7拓展信息
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