Diodes Incorporated DDTC114ECAQ-13-F

工厂交货时间

19 Weeks

表面安装

YES

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

DDTC114ECAQ-13-F

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.64

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

40

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Brand

Diodes Incorporated

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

包装

MouseReel

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1, HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Single

功率 - 最大

200 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 5mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

250 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

35

电阻基(R1)

10 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

辐射硬化

无