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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.744527
10
¥3.532576
100
¥3.33262
500
¥3.143976
1000
¥2.966014
Diodes Incorporated DDTC114ELP-7
- 收藏
- 对比
DDTC114ELP-7
671-DDTC114ELP-7
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
3-UFDFN
大陆
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW Single (R1/R2)
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DDTC114ELP-7详情
Diodes Incorporated DDTC114ELP-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UFDFN
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
10
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1, HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
250mW
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DDTC114
引脚数量
3
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
250mW
箱体转运
COLLECTOR
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 70mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
连续集电极电流
50mA
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
高度
470μm
长度
1mm
宽度
600μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DDTC114ELP-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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