Diodes Incorporated DDTC124TEQ-7-F

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-523

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR, HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

150mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

150mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 5mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

22 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant