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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.772272
10
¥0.728559
100
¥0.687319
500
¥0.648414
1000
¥0.611712
Diodes Incorporated DRDNB16W-7
- 收藏
- 对比
DRDNB16W-7
671-DRDNB16W-7
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

DRD Series 50 V 600 mA Surface Mount NPN Complex Array for Relay Driver -SOT-363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DRDNB16W-7详情
Diodes Incorporated DRDNB16W-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
质量
6.010099mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
56
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
600mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DRDNB16
引脚数量
6
最大输出电流
600mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Pre-Biased + Diode
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
56 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
200MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
1 k Ω
连续集电极电流
600mA
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DRDNB16W-7拓展信息
Diodes Incorporated
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