Diodes Incorporated DVR2V5W-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

18V

Number of Elements

1

hFEMin

150

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

18V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DVR2V5

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN + Zener Diode (Isolated)

集电极发射器电压(VCEO)

18V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 30mA, 300mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

18V

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅