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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.367387
10
¥6.950366
100
¥6.556952
500
¥6.185797
1000
¥5.835664
Diodes Incorporated DXT2011P5Q-13
- 收藏
- 对比
DXT2011P5Q-13
671-DXT2011P5Q-13
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
PowerDI™ 5
大陆
立即发货

PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DXT2011P5Q-13详情
Diodes Incorporated DXT2011P5Q-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
30 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerDI™ 5
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
6A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
3.2W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 2A 2V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
220mV @ 500mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
转换频率
130MHz
频率转换
130MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DXT2011P5Q-13拓展信息
Diodes Incorporated
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