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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 DXTP58100CFDB-7
DXTP58100CFDB-7
DXTP58100CFDB-7

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Diodes Incorporated DXTP58100CFDB-7

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型号

DXTP58100CFDB-7

品牌

Diodes Incorporated

utmel 编号

671-DXTP58100CFDB-7

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

3-UDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

起订量

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DXTP58100CFDB-7
DXTP58100CFDB-7 Diodes Incorporated PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

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DXTP58100CFDB-7详情

技术参数

Diodes Incorporated DXTP58100CFDB-7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-UDFN Exposed Pad

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    2A

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    690mW

  • 晶体管类型

    PNP

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    160 @ 500mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    185mV @ 200mA, 2A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    100V

  • 频率转换

    135MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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