Diodes Incorporated FMMT558TC
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FMMT558TC
671-FMMT558TC
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
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FMMT558TC详情
Diodes Incorporated FMMT558TC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
质量
7.994566mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-500mV
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
50MHz
Power Dissipation (Max)
500mW
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
-400V
额定电流
-150mA
基本部件号
FMMT558
元素配置
Single
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 6mA, 50mA
集电极基极电压(VCBO)
-400V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
连续集电极电流
-150mA
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FMMT558TC拓展信息
Diodes Incorporated
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