Diodes Incorporated GB1200036
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GB1200036
671-GB1200036
晶体
HC-49/US
大陆
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12MHz ±30ppm Crystal 30pF 40 Ohm -10°C ~ 70°CThrough Hole HC49/US
1最小包装量--
GB1200036详情
Diodes Incorporated GB1200036重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
HC-49/US
操作温度
-10°C~70°C
包装
Bulk
系列
SaRonix-eCera™ GB
尺寸/尺寸
L11.2XB5.0XH3.5 (mm)/L0.441XB0.197XH0.138 (inch)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
类型
兆赫晶体
附加功能
AT CUT; BAG
HTS代码
8541.60.00.50
频率
12MHz
频率稳定性
±30ppm
工作频率
12MHz
ESR(等效串联电阻)
40Ohm
负载电容
30pF
操作模式
Fundamental
驱动电平
100 μW
高度
3.5052mm
座位高度(最大)
0.138 3.50mm
RoHS状态
符合RoHS标准
GB1200036拓展信息
Diodes Incorporated
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