Diodes Incorporated MMBD4448HCDW-7-F

工厂交货时间

19 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

6.010099mg

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

4

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.70

电容量

3.5pF

额定功率

200mW

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

250mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBD4448HC

引脚数量

6

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 70V

功率耗散

200mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 150mA

正向电流

500mA

工作温度 - 结点

-65°C~150°C

最大浪涌电流

4A

输出电流-最大值

0.25A

正向电压

1.25V

最大反向电压（DC）

80V

平均整流电流

250mA

反向恢复时间

4 ns

峰值反向电流

100nA

最大重复反向电压(Vrrm)

80V

峰值非恢复性浪涌电流

4A

二极管配置

2 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

4A

恢复时间

4 ns

反向电压(直流电)

80V

反向测试电压

75V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅