Diodes Incorporated MMBTA55Q-13-F
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MMBTA55Q-13-F
671-MMBTA55Q-13-F
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
1最小包装量--
MMBTA55Q-13-F详情
Diodes Incorporated MMBTA55Q-13-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23-3
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
功率 - 最大
310 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
50MHz
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
MMBTA55Q-13-F拓展信息
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